先进工艺的发展其实是一个很长的产业链,除了光刻机受制于ASML之外,还有芯片材料其实也受制于海外,不过这些如今都在逐渐改变,日前就有消息指中国在光刻胶方面取得了重大突破,快速替代进口光刻胶。
光刻胶其实是一种非常重要的芯片材料,没有这种材料的话,先进工艺是无法量产的,而且光刻胶是一种消耗品,用了就要更换,这与光刻机可以一直用下去不同,而光刻胶几乎由美日垄断,而这种局面如今逐渐被打破。
近日晶瑞电材表示KRF高端光刻胶已量产,可以达到130纳米技术要求,规模供应中芯国际等国内芯片企业,彻底打破日本在光刻胶市场的垄断,凸显出中国在芯片材料方面的快速发展,而在更先进的ARF光刻胶方面也已突破。
早前南大光电就宣布已研发成功5纳米光刻胶,已进入验证阶段,预计很快也将量产,如此一来国内如今已量产的14纳米在光刻胶方面将不再受日本的限制,国产芯片将可以进一步强化自主生产能力。
国产芯片这几年已取得了长足的发展,光刻胶、刻蚀机都已达到5纳米,芯片封装技术达到4纳米,封测光刻机已达到14纳米,还有多个芯片制造环节都已达到14纳米,目前国内主要受制的仅剩下前道光刻机,也就是ASML占据优势的光刻机了。
美国为了阻止中国发展先进芯片可谓用尽了方法,数年前就已限制ASML对中国出售EUV光刻机,2022年下半年美国要求ASML不能对中国出售14纳米以下的光刻机,到了今年美国更进一步联合荷兰和日本进一步阻止中国获得诸多先进的芯片材料和设备。
美国拉拢日本的原因之一就是日本在光刻胶市场占据优势,美国的泛林集团和日本的东京电子等几乎垄断了光刻胶市场,美国意图通过阻止中国获得先进光刻胶的方式阻止中国发展先进工艺,甚至对现有的28纳米、14纳米芯片生产施加影响。
如今中国的厂商宣布在先进光刻胶方面打破美日的垄断,无疑打破了美国的美梦。其实除了中国在打破美日在光刻胶市场的垄断之外,韩国也已研发了自己的光刻胶,数年前日本停止对韩国三星供应光刻胶,这引发了韩国的反击,韩国集中力量仅花了一年多时间就研发了先进光刻胶,让日本光刻胶行业蒙受了巨大损失,如今再失去中国市场,日本光刻胶行业或许将进一步衰退。
美国的做法已打断了全球芯片供应链,全球诸多经济体如今都在积极发展芯片产业,就算是被美国拉拢的日本都开始积极发展芯片产业,日本联合八家企业成立一家全新的芯片企业,还与欧洲合作研发先进的2纳米工艺;欧盟在去年底签署450亿欧元芯片产业计划,可以说美国的做法非但没能巩固美国芯片的竞争力,反而让全球芯片市场分崩离析。
中国在光刻胶、刻蚀机等方面的发展,证明了美国的做法无法挡住中国芯片前进的脚步,反而激发了中国芯片的潜力,可以预期再花几年时间,中国的芯片产业链就能得以完善,到那时候中国芯片将形成自己的产业体系,美国芯片将会蒙受更大的损失。
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